矢野研究室におけるパワー半導体の研究開発
パワー半導体は自動車、鉄道、産業機器、家電、情報通信、送配電など、幅広い分野における電力機器に用いられており、将来益々需要が増加することが予測されます。パワー半導体の電力ロスを下げること、信頼性を上げることにより、電力機器の省エネ化、小型化、高信頼性化に繋がります。矢野研究室では、シリコンスーパージャンクション、炭化ケイ素（SiC)、酸化ガリウム(Ga2O3)などの次世代の高性能パワー半導体の開発を目指しています。
超低損失SiC静電誘導パワーデバイス
Siスーパージャンクションバイポーラデバイス
Ga2O3パワーデバイス
お知らせ
- 社会人博士課程 安達新一郎さんのRC-IGBTアクティブゲート制御の論文が電気学会論文誌IEEJ Journal of Industry Applicationsに早期公開されました
- 令和６年度卒業論文発表会において矢野研究室の田中彪雅君が優秀発表者で表彰されました。
- 3/20 電気学会全国大会にて本研究室の修士学生が発表しました
- 本研究室のスーパージャンクションバイポーラトランジスタに関する論文がIEEJ Journal of Industry Applicationsにて公開されました
- 2025年第72回応用物理学会春季学術講演会で、石巻専修大学 中込 真二 教授がNiO/Ga2O3ヘテロダイオードの試作に関する発表をされます。