矢野研究室におけるパワー半導体の研究開発
パワー半導体は自動車、鉄道、産業機器、家電、情報通信、送配電など、幅広い分野における電力機器に用いられており、将来益々需要が増加することが予測されます。パワー半導体の電力ロスを下げること、信頼性を上げることにより、電力機器の省エネ化、小型化、高信頼性化に繋がります。矢野研究室では、シリコンスーパージャンクション、炭化ケイ素（SiC)、酸化ガリウム(Ga2O3)などの次世代の高性能パワー半導体の開発を目指しています。
超低損失SiC静電誘導パワーデバイス
Siスーパージャンクションバイポーラデバイス
Ga2O3パワーデバイス
