酸化ガリウムパワーデバイス

次世代パワー半導体材料としての酸化ガリウム(Ga203)とその課題

ワイドバンドギャップ半導体材料である酸化ガリウム(Ga2O3）はSiの3000倍以上の理論性能を持つとされ、現在パワー半導体材料として注目されています。一方でGa2O3の課題はp型半導体を作り難いということです。

p型NiOとn型Ga2O3ヘテロ接合パワーデバイス

この課題を解決するために、石巻専修大学の中込真二教授らの研究グループはp型の酸化ニッケル(NiO)とn型のGa2O3をヘテロ接合構造によるpn接合を検討しています。矢野研究室では中込研究室と共同研究をさせていただき、NiO/Ga203ヘテロ構造デバイスの高耐圧化のための研究を進めています。