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研究内容
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矢野研究室の研究概要
超低損失SiCパワー半導体の開発
Siスーパージャンクションデバイス
酸化ガリウムパワーデバイス
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メンバー
教員
教授
矢野 浩司
学生
博士課程2年
安達 新一郎 (社会人課程)
修士2年
伊澤 健史
三井 大樹
修士1年
海野 凌平
小川 修弥
坂本 悠誠
学部4年
徐 エン
田中 彪雅
キャリアハウス nanoやまなし
電気電子工学科2年 Ngo Duy Thinh
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